英特尔于周三宣布，其最新的3nm级制程技术——英特尔3，已在俄勒冈州和爱尔兰的两座工厂实现大批量生产。这一新工艺带来了显著的性能提升和更高的晶体管密度，并支持1.2V的超高性能应用电压，适用于英特尔自有产品和代工客户。未来几年，英特尔3工艺将持续演进，满足更广泛的应用需求。

英特尔代工技术开发副总裁Walid Hafez透露：“我们的英特尔3工艺已经在俄勒冈州和爱尔兰的工厂实现了大批量生产，涵盖了最新推出的至强6‘Sierra Forest’和‘Granite Rapids’处理器。”

英特尔3制程工艺主要面向数据中心应用，这些应用需要通过改进晶体管性能（相较于英特尔4）来实现领先的性能表现。该工艺通过优化功率传输电路和减少晶体管电阻，支持<0.6V的低压和>1.3V的高压两种最大负载。英特尔承诺，在相同功率和晶体管密度下，英特尔3工艺的性能将比之前提升18%。

为实现性能和密度的最佳组合，芯片设计师可以选择使用240nm高性能和210nm高密度库的组合。此外，英特尔客户还可以在三种金属堆栈之间进行选择：14层用于成本优化，18层用于性能和成本的平衡，以及21层用于追求更高性能的应用。

目前，英特尔将首先使用3nm级工艺技术制造其至强6处理器，主要应用于数据中心领域。未来，英特尔代工厂将使用这一生产节点为客户制造数据中心级处理器。

除了基础芯片Intel 3，该公司还计划提供通过硅孔支持的Intel 3T，用作基础芯片。未来，英特尔还将为芯片组和存储应用提供功能增强的英特尔3-E，以及性能增强的英特尔3-PT，适用于广泛的工作负载，如人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和通用PC。

随着英特尔3工艺的量产，英特尔再次展示了其在半导体制造技术领域的领先地位，未来几年，这一技术的持续发展将为数据中心和其他高性能计算应用带来更多创新和突破。

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